закрыть
|
Кто здесь? Нет |
Похожие материалы:
16.04.09 08:49
Группа ученых из Университета Глазго (Шотландия) изготовила самый маленький в мире алмазный транзистор, длина затвора которого составляет 50 нм.
Алмаз в настоящее время рассматривается как один из наиболее перспективных материалов для создания наноразмерных электронных компонентов. «У традиционных материалов — кремния, арсенида галлия — есть
свои сильные и слабые стороны, в то время как алмаз практически универсален», — отмечает Дэвид Моран (David Moran), возглавивший работы по изготовлению транзистора.
Исходный материал для создания элемента был выращен специалистами английской компании Element 6 методом химического осаждения из паровой фазы. Для формирования структуры транзистора на поверхности алмазной пленки использовалась технология электронной литографии.
Как отмечает г-н Моран, алмазные транзисторы должны найти широкое применение в устройствах «следующего поколения» (в частности, ученый упоминает генераторы излучения терагерцового диапазона, на базе которых можно построить эффективные медицинские томографы и сканеры систем безопасности). «Для развития таких технологий необходимы быстрые и мощные транзисторы, сохраняющие работоспособность в неблагоприятных погодных и температурных условиях, — говорит Дэвид Моран. — Конкурировать по совокупности этих параметров с алмазными транзисторами не может ни один существующий элемент».
Комментарии:
Facebook
ВКонтакте